中国半导体光刻设备或再次颠覆产业格局！

    8月6日消息，韩国媒体昨日财经发表文章探讨全世界对中国自主实现半导体光刻设备商用化的关注和可能性。尽管面临美国政府的限制，中国半导体的崛起已成不可忽视的趋势，而中国上海微电子即将开发的28纳米深紫外线DV光刻设备，预计将于年底开始量产。这一先进设备对于半导体产业的微加工至关重要，使得业界纷纷呼吁韩国加快制定应对措施。     光刻设备在半导体量产过程中扮演着关键角色，世界上最先进的光刻设备为荷兰ASML公司生产的EUV光刻设备。然而，据消息称，上海微电子的28纳米DV光刻设备采用传统工艺的氟化亚的光刻技术，其波长为193纳米，但在电路结构简单的存储器中，通过多路转换甚至可以达到十纳米级。虽然此前曾有关于上海微电子量产28纳米光刻设备的传闻，但由于认证失败等原因未能实现商业化。
 
    然而，若上海微电子成功商业化28纳米光刻设备，国际半导体产业将面临新一轮的风口浪尖。此时美国政府讨论的对DV设备的额外监管或许将变得无意义，并可能引发更多对其贸易争端战略的批评，被认为是为中国半导体崛起创造机会的举动。
 
    虽然韩国业界对上海微电子即将量产新型光刻设备的消息表示怀疑，认为难度太大，因为即使不是EUV光刻设备，也只能在美国和日本等国家制造。荷兰ASML公司严重依赖美国和日本的技术。而据了解，上海微电子正在量产的90纳米级光刻设备同样严重依赖国外技术。尽管如此，应对中国半导体崛起的呼声预计将持续增高，因为虽然多次失败，但开发尝试仍在继续进行，担心中国不久后会取得有意义的成果。
 
    中国半导体产业在国家支持的基础上发展迅速，采取积极措施引进技术，快速获取最重要的量产数据，以应对美国贸易限制。与之相反，韩国等国家因盈利问题而小心翼翼，与中国的政策和态度存在明显差异。
 
    蔚山国立科学技术学院教授郑植表示，为了开发半导体材料，最重要的是将其应用于实际量产。中国政府给予支持，技术水平正在迅速提高，这使得中国半导体产业不断向前发展。面对中国崛起的趋势，韩国业界对应对措施感到压力重重。